存储大厂业绩高于预期
美光科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，公司第二财季的业绩，收入、毛利率和每股收益均远高于预期。面对AI给半导体行业带来的多年机遇，相信公司将是最大的受益者之一。 下游需求强盛 HBM产能吃紧 HBM是一款新型的CPU/GPU内存芯片，具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，被视为“最适用于AI训练、推理的存储芯片”。业界认为，HBM是加速未来AI技术发展的关键科技之一。 受人工智能（AI）热潮推动，HBM成为存储大厂业绩回升的主要推动力。美光科技预计整个2024财年，HBM产品将带来“数亿美元”的收入。Mehrotra表示，2024年的HBM已经售罄，2025年的大部分供应也已获得分配。 TrendForce集邦咨询表示，HBM生产周期较DDR5更长，从投片到产出与封装完成需要两个季度以上。因此，急欲取得充足供货的买家需要更早锁定订单量。大部分针对2024年度的订单都已经递交给供应商，除非有验证无法通过的情况，否则目前来看这些订单量均无法取消（non-cancellable）。 以HBM产能来看，TrendForce集邦咨询观察，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM产能规划最积极，三星HBM总产能至年底将达约130K（含TSV）；SK海力士约120K，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。另以现阶段主流产品HBM3产品市占率来看，目前SK海力士于HBM3市场比重逾9成，而三星将随着后续数个季度AMD MI300逐季放量持续紧追。 此外，HBM产业比重逐渐增长，TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。预估2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。 大厂竞相追逐 HBM3e将于今年迎放量周期 目前，高带宽存储器HBM（High Bandwidth Memory）已经从HBM、HBM2、HBM2E，发展至HBM3、HBM3E。存储大厂扩产重心主要在HBM3以及HBM3e产品上。 HBM3主要有SK海力士和三星供应，从供应端情况来看，据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，目前，NVIDIA现有主攻H100的存储器解决方案为HBM3，SK海力士是最主要供应商，然而供应不足以应付整体AI市场所需。至2023年末，三星以1Znm产品加入NVIDIA供应链，尽管比重仍小，但可视为三星于HBM3世代的首要斩获。 TrendForce集邦咨询调查指出，2024年第一季，三星HBM3产品也陆续通过AMD MI300系列验证，其中包含其8h与12h产品，故自2024年第一季以后，三星HBM3产品将会逐渐放量。值得注意的是，过去在HBM3世代的产品竞争中，美光（Micron）始终没有加入供应行列，仅有两大韩系供应商独撑，且SK海力士HBM市占率目前为最高，三星将随着后续数个季度MI300逐季放量，市占率将急起直追。 HBM3e方面，今年以来，市场目光将从HBM3转向HBM3e，预计下半年将逐季放量，并逐步成为HBM市场主流。据悉，英伟达（NVIDIA）新一代含B100或H200的规格将为最新HBM3e产品。 从大厂最新动态来看，SK海力士于3月19日宣布已开始量产高带宽内存产品HBM3E，将从3月下旬起向客户供货。据透露，该公司新芯片将首先发货给英伟达，并用于其最新的Blackwell GPU。 美光科技透露在最近一个季度，公司首次从其新品HBM3E中获得收入。该公司特别提到，HBM3E将于第二季末供给英伟达的AI芯片H200 Tensor Core GPU。 三星方面，该公司将于今年上半年开始批量生产HBM3E 12H。TrendForce集邦咨询表示，由于递交样品的时程较其他两家供应商略晚，预计其HBM3e将于第一季末前通过验证，并于第二季开始正式出货。由于三星HBM3的验证已经有了突破，且HBM3e的验证若无意外也即将完成，这也意味着该公司的出货市占于今年末将与SK海力士拉近差距。 值得一提的是，近期，英伟达联合创始人兼CEO黄仁勋对外暗示，英伟达正考虑从三星采购HBM芯片。黄仁勋表示，英伟达正处于对三星的HBM芯片进行测试的阶段，可能会在未来采用。不过英伟达“尚未”使用三星的HBM芯片。 半导体释放上行信号 从周期性来看，半导体行业是典型的周期性行业，周期长度约为4年左右，上行周期通常为2年至3年，下行周期通常为1年至1.5年。随着供需调整、库存改善、价格上扬等上行信号释放，业界预估半导体行业或将迈入上行周期。 不过美光科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，2024会计年度的DRAM和NAND位元供应成长仍低于需求成长。但随着供应过剩问题的缓解，Mehrotra认为，所有存储器和存储终端市场的定价都在改善，预估今年DRAM和NAND定价水准将进一步提高。 存储芯片价格自去年第三季度末开始上扬，目前价格走势仍是业界关心的重点。据TrendForce集邦咨询指出，AI功能并未在今年实际带动NAND Flash容量升级，若最主要的需求市场Enterprise SSD采购没有明显回升，今年整体NAND Flash需求位元成长可能不如预期。预估NAND Flash合约价涨幅自第二季起，将收敛至10~15%，至第三季会再降至0~5%。 展望2024年第一季DRAM市场趋势，TrendForce集邦咨询认为，原厂目标仍为改善获利，涨价意图强烈，促使DRAM合约价季涨幅近两成，然出货位元则面临传统淡季而略微衰退。
