本周，南智光电将连续发布5款全新的铌酸锂光子芯片、MEMS芯片等工艺设计包（PDK），涵盖薄膜铌酸锂（TFLN）、硅光(SiP)及微机电系统（MEMS）等领域。此次PDK密集发布，标志着南智光电围绕“薄膜铌酸锂+X”的产品定位，已经形成定制化、标准化、多品种、小批量光子芯片研发及流片能力，将更好地满足产业及科研客户多样化的芯片制造需求，助力产业生态发展。

近年来，南智光电恪守“技术中立、赋能行业”的核心理念，致力于为高校、科研机构以及产业界合作伙伴提供定制化、标准化、小批量的研发支持与流片服务。此次即将发布的5款PDK，进一步强化了平台对多种材料体系光子芯片器件的标准化制造能力，有效降低了技术门槛，显著提升了行业合作伙伴在芯片设计、产品开发及市场应用等环节的研发效率与成功率。

与此同时，南智光电自主开发的国内首个光子芯片专用大模型——OptoChat AI，将深度结合南智光电的平台技术能力与产业服务优势，更精准、更高效地为生态合作伙伴提供技术研发、工艺优化和产业化支持，加快光电子行业创新步伐，推动产业生态持续健康发展。

PDK技术细节介绍：

IOPTEE-Si-TFLN-400-V1.0

4月8日，南智光电正式面向行业客户提供国内首个适用于8寸硅基薄膜铌酸锂加工工艺的PDK：IOPTEE-Si-TFLN-400-V1.0,旨在为有小批量或中试需求的的客户提供更规范化，标准化的流片服务需求。该PDK采用400nm的膜厚，波导传输损耗为0.3dB/cm左右，包含半波电压≤3V，带宽≥60GHz的电光调制器等核心器件，同时支持4寸和8寸硅基薄膜铌酸锂流片，各项指标均已达到业内先进水平。

IOPTEE-Si-TFLN-400-V1.0示意图

左图为调制器显微照片与带宽测试结果
右图为薄膜铌酸锂波导与波导传输损耗测试结果

通过对光刻、刻蚀等关键工艺的持续优化，南智光电已实现8寸硅基薄膜铌酸锂晶圆流片的稳定量产，为客户提供从设计验证到中小规模生产的全流程代工支持。

8寸硅基薄膜铌酸锂流片成品图

IOPTEE-SOI-AlN-MEMS-V1.0

本次发布的压电MEMS PDK: IOPTEE-SOI-AlN-MEMS-V1.0,以氮化铝（AlN）压电薄膜制备技术为核心，完整覆盖4、6英寸SOI衬底上AlN压电器件的全流程制造工艺。配套工艺手册详细解析了从材料沉积到器件成型的全流程技术方案及指标，在确保量产可行性的同时，显著降低了研发机构与中小企业的技术准入门槛。其设计规则通过保守的尺寸参数选择以兼顾通用性和良率，实现了器件结构的兼容性，支持在同一晶圆上集成多种差异化设计，为科研验证与产品迭代提供了灵活的技术载体。

IOPTEE-SOI-AlN-MEMS-V1.0示意图

目前，南智光电已通过多轮该PDK相关的工艺验证，器件工艺稳定已通过工程批验证阶段，可为行业客户提供标准流片服务。

多款PDK正在同步上线中，欲了解更多工艺详情，敬请垂询400-115-3969或登录南智光电网站（www.ioptee.com）了解。