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薄膜铌酸锂EBL光刻+干法刻蚀

提供薄膜铌酸锂刻蚀工艺服务;

刻蚀深度最大可达600 nm,误差小于10 nm;

刻蚀倾角大于70°;

刻蚀最小线宽为100 nm,刻蚀间隙最小为300 nm。

薄膜铌酸锂整晶圆DUV光刻+干法刻蚀

侧壁光滑,倾角~67°;

最小顶宽~130 nm,最大刻蚀深度>600 nm;

4英寸晶圆均匀性良好,刻蚀深度较为一致,单模波导损耗<0.5 dB/cm。

铌酸锂周期极化晶片

该类产品主要基于准相位匹配原理,实现激光频率的上转换、下转换等。

1、体块铌酸锂周期极化晶片及质子交换波导

提供周期极化铌酸锂(PPLN) 、周期极化钽酸锂(PPLT)及质子交换波导的制备,最小周期:5 µm。

2、薄膜铌酸锂周期极化波导

提供薄膜铌酸锂周期极化﹙PPLNOI﹚波导的加工制备,最小周期可达4 µm。

薄膜铌酸锂基本器件加工服务

薄膜铌酸锂微环:单模Q值最优大于5×105,多模值最优大于106

端面耦合器:单边损耗小于3 dB;

光栅耦合器:单边损耗小于8 dB;

MMI分束器:损耗小于0.1 dB;

薄膜铌酸锂电光调制器芯片:调制器带宽大于67 GHz,半波电压小于3.5 V,可根据需求定制。

硅光样品工艺服务

无源硅光器件制备服务,SiN波导传输损耗优于1 dB/cm,最小加工线宽80 nm,支持MMI、MZI(热调)、AWG等。

超表面样品工艺服务

材料体系为SiN、α-Si,最小加工线宽可达90 nm,侧壁倾角优于87 °。制备大量亚波长单元在二维平面上设计排布而成的人工结构阵列,通过不同设计能够对电磁波进行灵活调控,入射光振幅、相位、偏振等参量的精确控制。具有成熟的工艺可实现极限最小线宽100 nm,高深宽比的α-Si;SiN类的Meta类结构的制备。

长/短波通滤光片

       长/短波通滤光片,具有截止带宽宽,截止深度深,转换陡度高,透过率高等优点。可广泛应用于荧光激发光谱测量,拉曼光谱应用,光谱分组应用,及天文观测应用等,还可广泛用于成像光学系统,机器视觉系统应用,用来剔除可用波段以外的干扰光,极大地提高成像清晰度,以及系统的灵敏度。

       长波通滤光片,透射带:415nm~2000nm;截止带:350nm~860nm;中心波长:400nm~875nm。短波通滤光片,透射带:350nm~965nm;截止带:415nm~1185nm;中心波长:400nm~875nm。以上均可依据需求定制。

光掩膜版定制服务

光掩膜版,可提供苏打玻璃版、石英玻璃版、苏打玻璃干版、菲林版等,可提供从图形设计、版图绘画到制作光掩膜版的整套解决方案。

光刻制程工艺服务

可加工8寸及以下各种晶圆及碎片,线宽精度依据需求最小可到8纳米,产品种类可选择范围广泛,包括:硅、磷化铟、碳化硅等非透明材料;氮化镓、玻璃、蓝宝石等透明材料。具备纳米压印及其模版制备的能力。

刻蚀制程工艺服务

可加工8寸及以下各种晶圆及碎片,刻蚀材料种类较多,包括:硅片、氧化硅、氮化硅、磷化铟、氮化镓、碳化硅、蓝宝石等。

镀膜制程工艺服务

可加工8寸及以下各种晶圆及碎片,可以镀膜材料品种齐全,包括:氧化硅、氮化硅等PVD工艺介质薄膜;金、银、铝、钛、铬、镍等PVD工艺金属或合金薄膜;350nm~2um光学滤光片。

封装测试服务

可进行GaAs、InP等III-V族半导体材料封装,包括:芯片金丝键合、III-V族半导体芯片解理、共晶贴片、倒装键合;双束电镜可进行纳米级加工,芯片失效分析,TEM样品制备及样品形貌表征。

后道制程工艺服务

切割:主要是利用高速旋转的主轴带动刀片高速旋转(30000 r/ min)在待切割样品表面进行预设程序的直线切割,切割时通有高纯 度的切割水对刀片和主轴进行冷却,保证切割产品精度质量。

减抛:主要用于研磨硬质材料,是小批量生产和研发机构的优质选择,兼顾硬脆性材料以及软脆性材料, 例如: 蓝宝石、硅片、光学 玻璃、石英片、磷化铟等半导体材料的高精度切削减薄。