南智薄膜铌酸锂PDK1.0
南智薄膜铌酸锂PDK1.0，基于4寸硅基薄膜铌酸锂晶圆，BOX层SiO2厚度为4.7 µm，LN层厚度为600 nm，脊波导刻蚀深度为300 nm。调制器行波电极采用Au电极，直流偏置控制采用NiCr电极。
南智薄膜铌酸锂PDK1.0器件性能
设计工艺套件（PDK）（支持Luceda、逍遥科技 PDK）
南智光电TFLN流片说明
南智光电提供多种流片服务
多项目晶圆（MPW）模式、全掩膜（Full Mask)模式、EBL工艺模式
客户可以根据自己的具体需求、预算以及项目阶段选择合适的流片模式。南智光电提供的这些服务选项，为客户提供了灵活多样的选择，有助于推动科技创新和产业升级。同时，南智光电的专业团队和先进设备也能保证流片过程的高质量和高效率，满足客户的多样化需求。
多项目晶圆（MPW）模式
特点：基于南智薄膜铌酸锂PDK1.0进行版图设计，加工费用较低，价格根据所需版图面积确定，加工和交付周期固定。
适用场景：适用于小批量生产或对前期验证有需求的客户。
全掩膜（Full Mask）模式
特点：可基于PDK进行版图设计，同时支持与客户工程师直接沟通，以定制版图设计与工艺流程，加工费用较高，但加工和交付周期较为灵活。
适用场景：适用于小批量生产、中试阶段或研发验证阶段，适用于工艺流程有特定需求的客户。
EBL工艺模式
EBL工艺模式：
特点：基于PDK进行版图设计，同时支持与南智工程师的直接沟通，以定制版图设计与工艺流程，在设计与工艺上具有较高的灵活性。
适用场景：特别适用于器件研发阶段，尤其是在需要高度定制化和创新设计的项目中。
