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光刻制程工艺服务
可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片,线宽精度依据需求最小可到8nm, 产品种类可选择范围广泛。可制备光栅、波导、 Meta 等。
现有设备: DUV、EBL、MA6、MA8、纳米压印、自动匀胶显影机等。
小线宽镀膜剥离工艺制备膜厚100nm,线宽110nm的Al光栅结构。
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光刻制程工艺服务+EBL光刻
EBL光刻稳定工艺最小线宽40nm。
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光刻制程工艺服务+DUV加工服务
DUV可提供8寸晶圆级批量加工服务。
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光刻制程工艺服务+光刻
MA6光刻最小线宽1μm,
MA8 8寸光刻片。
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刻蚀制程工艺服务+α-Si Meta刻蚀工艺
可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片,刻蚀材料种类较多,包括:硅、氧化硅、氮化硅、磷化铟 、氮化镓、蓝宝石、铌酸锂、钽酸锂、石英、氧化钛、氮化坦及各种金属氧化物等。
现有设备: RIE、ICP1、ICP2、IBE、深硅刻蚀机、深介质刻蚀机、气态释放刻蚀机等。
α-Si Meta刻蚀工艺,线宽160nm, 深度900nm。
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刻蚀制程工艺服务+氧化钛Meta刻蚀
氧化钛Meta刻蚀,线宽195nm,深度650nm
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刻蚀制程工艺服务+氮化钽刻蚀
氮化钽刻蚀,硅衬底/熔融石英衬底刻蚀角度均>85°。
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镀膜制程工艺服务
可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片,镀膜材料品种齐全,包括:氧化硅、氮化硅等CVD工艺介质薄膜;金、银、铝、钛、镍、铬等PVD工艺金 属、及各种金属氧化物和合金薄膜。
现有设备: PECVD1、PECVD2、 磁控溅射镀膜仪1、磁控溅射镀膜仪2、电子束蒸发台、光学镀膜仪、快速退火炉、管式退火炉、半自动清洗机、甩干机等。
镀膜-剥离成果:线宽70nm。
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测试制程工艺服务
扫描电子显微镜(SEM)进行图像观察、微观形貌表征;双束电镜(FIB-SEM)对芯片进行截面切割表征,结合元素分析(EDS)进行失效分析,还可制备高质量TEM样品;原子力显微镜(AFM)实现表面粗糙度,形貌与三维结构的测量;膜厚仪与椭偏仪实现常见薄膜材料厚度与光学性质(折射率n、消光系数k)测试。
现有设备:双束电镜、FIB设备SEM/EDS、SEM、金相/数码显微镜、原子力显微镜、椭偏仪、台阶仪、膜厚仪、三维轮廓仪等。
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薄膜铌酸锂相关芯片器件定制化加工服务
可配合进行薄膜铌酸锂相关芯片的研发工作,及高校、科研院所等进行薄膜铌酸锂芯片定制化加工,提供基本器件库,可提供器件设计版图绘制等相关定制化代工服务。
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晶圆级薄膜铌酸锂相关芯片小批量加工服务
提供4英寸晶圆级薄膜铌酸锂电光调制器等芯片小批量加工服务,提供基本器件库,可配合进行器件设计,可按需求进行工艺开发。
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周期极化铌酸锂波导工艺服务
提供周期极化质子交换铌酸锂波导、周期极化钛扩散铌酸锂波导、周期极化薄膜铌酸锂波导等频率转换器件的加工服务,也可按照器件的性能要求进行设计加工。
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硅光样品工艺服务
无源硅光器件制备服务,SiN波导传输损耗优于1dB/cm,最小加工线宽80nm,支持MMl、MZI(热调)、AWG等。
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氮化铝样品工艺服务
具备相关小片及4-8英寸晶圆级加工能力,涵盖氮化铝镀膜、AIN/Mo(氮化铝/钼)PVD单设备组合镀膜、刻蚀、多层套刻、电极制备等成套 工艺能力。
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二维材料制备与器件加工工艺服务
FIB制备TEM样品,极限厚度20nm,该样品为蓝宝石衬底上的二维材料
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二维材料异质结构制备
在机械剥离制备二维材料的基础上,通过干法转移制备各种二维材料异质结构
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超表面样品工艺服务1
案例1:柱状 -Si Meta结构,最小线宽40nm,刻蚀深度970nm,深宽比在20:1以上
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超表面样品工艺服务2
案例2:石英TiO2方柱Meta结构,最小线宽152nm,刻蚀深度801nm,深宽比达5:1
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超表面样品工艺服务3
案例3:石英SiN 圆柱Meta结构,最小线宽100nm,刻蚀深度600nm,深宽比6:1
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铌酸锂基定制芯片/器件
电光调制器是现代通信产业的核心部件,用来将光发射器的高速电子信号转换为光信号,从而通过光纤传输。5G通信需用到100GHz/400GHz集成片上高速光调制器,新型铌酸锂调制器参数优势明显、应用前景明确且易于集成,不仅是5G通信的理想选择,也是集成光学芯片中的核心元件,在大数据处理、云计算等大型数据处理平台也有广阔的应用前景。
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图案极化的铌酸锂或钽酸锂晶体
提供周期极化铌酸锂(PPLN)、周期极化钽酸锂(PPLT)和相关特殊形状极化样品的制备。该类产品主要基于准相位匹配原理(QPM),可实现激光频率的上转换(SHG/SFG)、频率下转换(DFG/OPA/OPG/OPO)以及进行非线性光场调控,比如通过极化制备钽酸锂非线性叉形光栅,可以实现光子轨道角动量(OAM)的非线性产生。样品长度:1mm~50mm,宽度:1mm~40mm,厚度:0.2mm~0.5mm,最小周期:5μm。