光刻制程工艺服务
可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片，可制备光栅、波导、 Meta 等。现有设备： DUV、EBL、MA6、MA8、纳米压印、自动匀胶显影机等。小线宽镀膜剥离工艺制备膜厚100nm，线宽110nm的Al光栅结构。
光刻制程工艺服务+EBL光刻
EBL光刻稳定工艺最小线宽40nm。
光刻制程工艺服务+DUV加工服务
DUV可提供8寸晶圆级批量加工服务。
光刻制程工艺服务+光刻
MA6光刻最小线宽1μm，
MA8 8寸光刻片。
刻蚀制程工艺服务+α-Si Meta刻蚀工艺
可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片，刻蚀材料种类较多，包括：硅、氧化硅、氮化硅、磷化铟 、氮化镓、蓝宝石、铌酸锂、钽酸锂、石英、氧化钛、氮化坦及各种金属氧化物等。
刻蚀制程工艺服务+氧化钛Meta刻蚀
氧化钛Meta刻蚀，线宽195nm,深度650nm
刻蚀制程工艺服务+氮化钽刻蚀
氮化钽刻蚀，硅衬底/熔融石英衬底刻蚀角度均>85°。
镀膜制程工艺服务
可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片，镀膜材料品种齐全，包括：氧化硅、氮化硅等CVD工艺介质薄膜；金、银、铝、钛、镍、铬等PVD工艺金 属、及各种金属氧化物和合金薄膜。
测试制程工艺服务
扫描电子显微镜(SEM)进行图像观察、微观形貌表征；双束电镜(FIB-SEM)对芯片进行截面切割表征，结合元素分析(EDS)进行失效分析，还可制备高质量TEM样品；原子力显微镜(AFM)实现表面粗糙度，形貌与三维结构的测量；膜厚仪与椭偏仪实现常见薄膜材料厚度与光学性质(折射率n、消光系数k)测试。
薄膜铌酸锂相关芯片器件定制化加工服务
可配合进行薄膜铌酸锂相关芯片的研发工作，及高校、科研院所等进行薄膜铌酸锂芯片定制化加工，提供基本器件库，可提供器件设计版图绘制等相关定制化代工服务。
晶圆级薄膜铌酸锂相关芯片小批量加工服务
提供4英寸晶圆级薄膜铌酸锂电光调制器等芯片小批量加工服务，提供基本器件库，可配合进行器件设计，可按需求进行工艺开发。
周期极化铌酸锂波导工艺服务
提供周期极化质子交换铌酸锂波导、周期极化钛扩散铌酸锂波导、周期极化薄膜铌酸锂波导等频率转换器件的加工服务，也可按照器件的性能要求进行设计加工。
硅光样品工艺服务
无源硅光器件制备服务，SiN波导传输损耗优于1dB/cm,最小加工线宽80nm,支持MMl、MZI(热调)、AWG等。
氮化铝样品工艺服务
具备相关小片及4-8英寸晶圆级加工能力，涵盖氮化铝镀膜、AIN/Mo(氮化铝/钼)PVD单设备组合镀膜、刻蚀、多层套刻、电极制备等成套 工艺能力。
二维材料制备与器件加工工艺服务
FIB制备TEM样品，极限厚度20nm,该样品为蓝宝石衬底上的二维材料
二维材料异质结构制备
在机械剥离制备二维材料的基础上，通过干法转移制备各种二维材料异质结构
超表面样品工艺服务1
案例1：柱状 -Si Meta结构，最小线宽40nm，刻蚀深度970nm，深宽比在20:1以上
超表面样品工艺服务2
案例2:石英TiO2方柱Meta结构，最小线宽152nm,刻蚀深度801nm,深宽比达5:1
超表面样品工艺服务3
案例3:石英SiN 圆柱Meta结构，最小线宽100nm,刻蚀深度600nm,深宽比6:1
铌酸锂基定制芯片/器件
电光调制器是现代通信产业的核心部件，用来将光发射器的高速电子信号转换为光信号，从而通过光纤传输。5G通信需用到100GHz/400GHz集成片上高速光调制器，新型铌酸锂调制器参数优势明显、应用前景明确且易于集成，不仅是5G通信的理想选择，也是集成光学芯片中的核心元件，在大数据处理、云计算等大型数据处理平台也有广阔的应用前景。
图案极化的铌酸锂或钽酸锂晶体
提供周期极化铌酸锂（PPLN）、周期极化钽酸锂（PPLT）和相关特殊形状极化样品的制备。该类产品主要基于准相位匹配原理（QPM），可实现激光频率的上转换（SHG/SFG）、频率下转换（DFG/OPA/OPG/OPO）以及进行非线性光场调控，可以实现光子轨道角动量(OAM)的非线性产生。
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