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光刻制程工艺服务

可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片,线宽精度依据需求最小可到8nm,  产品种类可选择范围广泛。可制备光栅、波导、 Meta 等。

现有设备: DUV、EBL、MA6、MA8、纳米压印、自动匀胶显影机等。

小线宽镀膜剥离工艺制备膜厚100nm,线宽110nm的Al光栅结构

光刻制程工艺服务+EBL光刻

EBL光刻稳定工艺最小线宽40nm。

光刻制程工艺服务+DUV加工服务

DUV可提供8寸晶圆级批量加工服务。

光刻制程工艺服务+光刻

MA6光刻最小线宽1μm,

MA8 8寸光刻片

刻蚀制程工艺服务+α-Si Meta刻蚀工艺

可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片,刻蚀材料种类较多,包括:硅、氧化硅、氮化硅、磷化铟 、氮化镓、蓝宝石、铌酸锂、钽酸锂、石英、氧化钛、氮化坦及各种金属氧化物等。

现有设备: RIE、ICP1、ICP2、IBE、深硅刻蚀机、深介质刻蚀机、气态释放刻蚀机等。

α-Si Meta刻蚀工艺,线宽160nm,  深度900nm


刻蚀制程工艺服务+氧化钛Meta刻蚀

氧化钛Meta刻蚀,线宽195nm,深度650nm

刻蚀制程工艺服务+氮化钽刻蚀

氮化钽刻蚀,硅衬底/熔融石英衬底刻蚀角度均>85°       

镀膜制程工艺服务

可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片,镀膜材料品种齐全,包括:氧化硅、氮化硅等CVD工艺介质薄膜;金、银、铝、钛、镍、铬等PVD工艺金 属、及各种金属氧化物和合金薄膜。

现有设备: PECVD1、PECVD2、 磁控溅射镀膜仪1、磁控溅射镀膜仪2、电子束蒸发台、光学镀膜仪、快速退火炉、管式退火炉、半自动清洗机、甩干机等。

镀膜-剥离成果:线宽70nm


测试制程工艺服务

扫描电子显微镜(SEM)进行图像观察、微观形貌表征;双束电镜(FIB-SEM)对芯片进行截面切割表征,结合元素分析(EDS)进行失效分析,还可制备高质量TEM样品;原子力显微镜(AFM)实现表面粗糙度,形貌与三维结构的测量;膜厚仪与椭偏仪实现常见薄膜材料厚度与光学性质(折射率n、消光系数k)测试。

现有设备:双束电镜、FIB设备SEM/EDS、SEM、金相/数码显微镜、原子力显微镜、椭偏仪、台阶仪、膜厚仪、三维轮廓仪等。


薄膜铌酸锂相关芯片器件定制化加工服务

可配合进行薄膜铌酸锂相关芯片的研发工作,及高校、科研院所等进行薄膜铌酸锂芯片定制化加工,提供基本器件库,可提供器件设计版图绘制等相关定制化代工服务。

晶圆级薄膜铌酸锂相关芯片小批量加工服务

提供4英寸晶圆级薄膜铌酸锂电光调制器等芯片小批量加工服务,提供基本器件库,可配合进行器件设计,可按需求进行工艺开发。

周期极化铌酸锂波导工艺服务

提供周期极化质子交换铌酸锂波导、周期极化钛扩散铌酸锂波导、周期极化薄膜铌酸锂波导等频率转换器件的加工服务,也可按照器件的性能要求进行设计加工。

硅光样品工艺服务

无源硅光器件制备服务,SiN波导传输损耗优于1dB/cm,最小加工线宽80nm,支持MMl、MZI(热调)、AWG等。

氮化铝样品工艺服务

具备相关小片及4-8英寸晶圆级加工能力,涵盖氮化铝镀膜、AIN/Mo(氮化铝/钼)PVD单设备组合镀膜、刻蚀、多层套刻、电极制备等成套 工艺能力。

二维材料制备与器件加工工艺服务

FIB制备TEM样品,极限厚度20nm,该样品为蓝宝石衬底上的二维材料

二维材料异质结构制备

在机械剥离制备二维材料的基础上,通过干法转移制备各种二维材料异质结构

超表面样品工艺服务1

案例1:柱状 -Si Meta结构,最小线宽40nm,刻蚀深度970nm,深宽比在20:1以上

超表面样品工艺服务2

案例2:石英TiO2方柱Meta结构,最小线宽152nm,刻蚀深度801nm,深宽比达5:1

超表面样品工艺服务3

案例3:石英SiN 圆柱Meta结构,最小线宽100nm,刻蚀深度600nm,深宽比6:1